高速设计中的特征阻抗计算与仿真工具

在高速设计中阻抗不连续会导致信号完整性与EMI问题,但由于PCBICIC封装设计的复杂性的增加,使得在设计中寻找这样的问题会变得非常麻烦。ApsimZoDisplay则极大简化了这一过程,利用该工具可以直接从CAD布线中对包含有不完整地电平面的复杂设计进行分析,并快速计算单端和差模/共模阻抗,在分析计算时,由电源划分与地的不完整所造成的分割将被建模,在结果中以彩色图形方式显示阻抗的不连续性。

 

Z0 Display的主要特点:

 

²  图形化显示在不完整地/电平面情况下信号线Zo, Z差模,Z共模,S11/S21, 串扰系数(前向/反向),EMI和抗干扰能力。

²  双窗口分别显示原始设计布线和Zo/Zdiff/

Zcommon/S11/S21/Xf/Xb/EMI与抗干扰能力

²  内嵌2D+场求解器和传输线电路仿真器。

²  频率相关的RLGC可以支持频率相关材料(ε, tand, σ, μ),并考虑了蚀刻作用的影响。

 

选项:                            

²  考虑非耦合过孔的ZdiffZoTDR仿真       

²  SPICE提取能力,支持ASPICEHSPICE*Berkeley SPICE *Synopsys的注册商标)     

²  S参数的仿真能力,并提取Touchstone格式的单线或差分线的S参数

²  支持多线程(双核或四核)以完成并行处理。

                            

图中给出的是以彩色图形方式显示的临近平面的分割所造成的阻抗不连续性,在右图中显示的是原始设计中的分割情况,从中可以看到沿着信号线模型跨越,分割的情况。沿着信号线,模型跨越分割的情况 

 

方法:

ApsimZoDisplay的一个选项就是将原始的CAD数据导入并转换为ApsimAAIF格式,之后该工具会自动完成对设计的分析并显示结果,用户自己定义感兴趣的网络,ZoZ差模,Z共模,S参数,串扰系数,EMI以及叠层结构信息。通过层编辑器输入蚀刻作用的影响与频率相关参数。

 

内建有场求解器使用FEM或频域方法对有不完整电源/地的情况下的传输线进行提取

 

可以选择将该工具与ApsimSPICEApsimRLGCApsimIBIS_Translator集成在一起,以便拥有进行全面的信号完 具有不完整地/电平面的Z差模/Z共模分析实例性分析仿真的能力。 

                        

 

         

  

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